FDD8N50NZTM
FDD8N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.06 |
| 100 | $1.30 |
| 1000 | $0.90 |
Технические характеристики
| Установка персональной сети передачи данных |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
| Альтернативные названия | FDD8N50NZTMCT |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 735pF @ 25V |
| Поставляемая упаковка продукта | DPAK |
| Максимальная мощность | 90W |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Группа | FETs - Single |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Заряд затвора | 18nC @ 10V |
| Серии | UniFET-II™ |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA |
| Включенная служба передачи радиоданных | 850 mOhm @ 3.25A, 10V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Техническое описание |
FDD8N50NZ |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Кейс\упаковка | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
