FDG315N
FDG315N
21000
MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.52 |
10 | $1.28 |
1000 | $0.54 |
Технические характеристики
Кейс\упаковка | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Дата упаковки |
Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 |
Техническое описание |
FDG315N |
Включенная служба передачи радиоданных | 120 mOhm @ 2A, 10V |
Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
Серии | PowerTrench?? |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 220pF @ 15V |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Альтернативные названия | FDG315NCT |
Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
Заряд затвора | 4nC @ 5V |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Максимальная мощность | 480mW |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250??A |
Тип крепления | Surface Mount |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 2A (Ta) |
Группа | FETs - Single |
Поставляемая упаковка продукта | SC-70-6 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА