FDMS3660S
FDMS3660S
2810
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $2.62 |
10 | $2.32 |
1000 | $1.12 |
Технические характеристики
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Техническое описание |
FDMS3660S |
Альтернативные названия | FDMS3660SFSCT |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1765pF @ 15V |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Кейс\упаковка | 8-PowerTDFN |
Серии | PowerTrench® |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Включенная служба передачи радиоданных | 8 mOhm @ 13A, 10V |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 13A, 30A |
Группа | FETs - Arrays |
Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Тип крепления | Surface Mount |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Максимальная мощность | 1W |
Установка персональной сети передачи данных |
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 |
Рекомендуемый продукт |
Cloud Systems Computing |
Заряд затвора | 29nC @ 10V |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Поставляемая упаковка продукта | Power56 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА