FQA8N100C
FQA8N100C
377
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $9.56 |
10 | $8.54 |
1350 | $4.78 |
Технические характеристики
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Максимальная мощность | 225W |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Кейс\упаковка | TO-3P-3, SC-65-3 |
Заряд затвора | 70nC @ 10V |
Тип крепления | Through Hole |
Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Passivation Material 26/June/2007 Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 |
Группа | FETs - Single |
Альтернативные названия | FQA8N100C-ND FQA8N100CFS |
Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
Серии | QFET?? |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3220pF @ 25V |
Упаковка | Tube |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 8A (Tc) |
Включенная служба передачи радиоданных | 1.45 Ohm @ 4A, 10V |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000V (1kV) |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250??A |
Поставляемая упаковка продукта | TO-3PN |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
Минимальная упаковка шт. | 30 |
Техническое описание |
FQA8N100C |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА