FQD13N10LTM
FQD13N10LTM
4342
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.54 |
10 | $1.35 |
1000 | $0.62 |
Технические характеристики
Группа | FETs - Single |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Максимальная мощность | 2.5W |
Тип крепления | Surface Mount |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Заряд затвора | 12nC @ 5V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
Техническое описание |
D-PAK Tape and Reel Data |
Альтернативные названия | FQD13N10LTMCT |
Поставляемая упаковка продукта | TO-252-3 |
Дата упаковки |
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 |
Кейс\упаковка | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 10A (Tc) |
Включенная служба передачи радиоданных | 180 mOhm @ 5A, 10V |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Серии | QFET® |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА