FQD2N100TM
FQD2N100TM
10000
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 2500 | $1.14 |
Технические характеристики
| Техническое описание |
FQD2N100, FQU2N100 D-PAK Tape and Reel Data |
| Включенная служба передачи радиоданных | 9 Ohm @ 800mA, 10V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Альтернативные названия | FQD2N100TM-ND |
| Максимальная мощность | 2.5W |
| Дата упаковки |
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Минимальная упаковка шт. | 2,500 |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
| Серии | QFET® |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Заряд затвора | 15.5nC @ 10V |
| Поставляемая упаковка продукта | D-Pak |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Кейс\упаковка | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
