HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST
585
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $7.58 |
| 10 | $6.81 |
| 100 | $5.58 |
Технические характеристики
| Режим для испытаний | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 35A |
| Кейс\упаковка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Тип биполярного транзистора с изолированным затвором | NPT |
| Напряжение Эмиттера (on) (макс.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Заряд затвора | 100nC |
| Максимальная мощность | 298W |
| Тд (ВКЛ\ВЫКЛ) @ 25°C | 23ns/165ns |
| Дата упаковки |
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 |
| Токосъёмник (импульсн.) | 80A |
| Группа | IGBTs - Single |
| Энергия, затрачиваемая на коммутацию | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Вид ввода данных | Standard |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-263AB |
| Техническое описание |
HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS |
| Время восстановления при переключении в обратное направление | - |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Серии | - |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 1200V |
| Альтернативные названия | HGT1S10N120BNSTCT |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
