RFD12N06RLESM9A
RFD12N06RLESM9A
2500
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 2500 | $0.82 |
Технические характеристики
| Группа | FETs - Single |
| Максимальная мощность | 49W |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 18A (Tc) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V |
| Включенная служба передачи радиоданных | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| Серии | UltraFET™ |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Дата упаковки |
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 |
| Кейс\упаковка | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Техническое описание |
RFD12N06RLE/RLESM, RFP12N06RLE |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Минимальная упаковка шт. | 2,500 |
| Альтернативные названия | RFD12N06RLESM9A-ND RFD12N06RLESM9ATR |
| Заряд затвора | 15nC @ 10V |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-252-3 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
