logo
1St Line Electronics
+ 7 (495) 649 - 69 - 13
Часто задаваемые вопросы

RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A
2500
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Объем заказа Цена за единицу
2500 $0.63

Технические характеристики

Группа FETs - Single
Максимальная мощность 49W
Vgs(th) (макс.) @ Id 3V @ 250µA
Упаковка Tape & Reel (TR)  
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C 18A (Tc)
Тип крепления Surface Mount
Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
Модули обучения обращения с продуктами High Voltage Switches for Power Processing
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds 485pF @ 25V
Включенная служба передачи радиоданных 63 mOhm @ 18A, 10V
Серии UltraFET™
Характеристики полевого транзистора Logic Level Gate
Дата упаковки Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Кейс\упаковка TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Техническое описание RFD12N06RLE/RLESM, RFP12N06RLE
Тип полевого транзистора MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Минимальная упаковка шт.   2,500
Альтернативные названия RFD12N06RLESM9A-ND
RFD12N06RLESM9ATR
Заряд затвора 15nC @ 10V
Поставляемая упаковка продукта TO-252-3
Категория Discrete Semiconductor Products

Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13

Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.

!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$

Товаров

КОРЗИНА ПУСТА

Личный кабинет

Официальный дистрибьютор

Official Distributer