IRF1010NSTRLPBF
IRF1010NSTRLPBF
1250
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.68 |
| 10 | $3.33 |
| 100 | $2.68 |
Технические характеристики
| Кейс\упаковка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Поставляемая упаковка продукта | D2PAK |
| Альтернативные названия | IRF1010NSTRLPBFDKR |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Серии | HEXFET® |
| Ресурсы исполнения |
IRF1010NS Saber Model IRF1010NS Spice Model |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Техническое описание |
IRF1010N(S,L)PbF |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 85A (Tc) |
| Группа | FETs - Single |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Включенная служба передачи радиоданных | 11 mOhm @ 43A, 10V |
| Максимальная мощность | 180W |
| Заряд затвора | 120nC @ 10V |
| Упаковка | Digi-Reel® |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55V |
| Тип крепления | Surface Mount |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА

