IRF3205LPBF
IRF3205LPBF
329
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.46 |
| 1000 | $1.06 |
| 9000 | $0.92 |
Технические характеристики
| Поставляемая упаковка продукта | TO-262 |
| Серии | HEXFET?? |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 8 mOhm @ 62A, 10V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55V |
| Упаковка | Tube |
| Кейс\упаковка | TO-262-3 Long Leads, I??Pak, TO-262AA |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Тип крепления | Through Hole |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 110A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250??A |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Группа | FETs - Single |
| Техническое описание |
IRF3205(S,L)PbF |
| Альтернативные названия | *IRF3205LPBF |
| Максимальная мощность | 200W |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Заряд затвора | 146nC @ 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА

