IXFP4N100Q
IXFP4N100Q
208
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $13.12 |
| 50 | $10.54 |
| 1000 | $6.56 |
Технические характеристики
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Техническое описание |
IXF(A,P)4N100Q |
| Серии | HiPerFET??? |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Группа | FETs - Single |
| Включенная служба передачи радиоданных | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Максимальная мощность | 150W |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Упаковка | Tube |
| Тип крепления | Through Hole |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 4A (Tc) |
| Заряд затвора | 39nC @ 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1050pF @ 25V |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 1.5mA |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА

