IXTA3N100D2
IXTA3N100D2
200
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $8.80 |
| 50 | $7.08 |
| 1000 | $4.40 |
Технические характеристики
| Поставляемая упаковка продукта | TO-263 (IXTA) |
| Рекомендуемый продукт |
Depletion-Mode D2??? Power MOSFETs |
| Характеристики полевого транзистора | Depletion Mode |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - |
| Упаковка | Tube |
| Категория в каталоге | N-Channel Depletion Mode FETs |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Максимальная мощность | 125W |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 3A (Tc) |
| Техническое описание |
IXT(A,P)3N100D2 |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Кейс\упаковка | TO-263-3, D??Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Включенная служба передачи радиоданных | 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V |
| Заряд затвора | 37.5nC @ 5V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Серии | - |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
