APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
106
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $44.22 |
10 | $40.90 |
270 | $32.05 |
Технические характеристики
Заряд затвора | 185nC |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Чертёж |
T-MAX Front |
Время восстановления при переключении в обратное направление | - |
Кейс\упаковка | TO-247-3 Variant |
Тд (ВКЛ\ВЫКЛ) @ 25°C | 18ns/100ns |
Серии | POWER MOS 7?? |
Категория в каталоге | Standard IGBTs |
Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 1200V |
Минимальная упаковка шт. | 30 |
Группа | IGBTs - Single |
Тип биполярного транзистора с изолированным затвором | PT |
Энергия, затрачиваемая на коммутацию | 900??J (on), 905??J (off) |
Альтернативные названия | APT45GP120B2DQ2GMI APT45GP120B2DQ2GMI-ND |
Максимальная мощность | 625W |
Напряжение Эмиттера (on) (макс.) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
Тип крепления | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Режим для испытаний | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
Токосъёмник (импульсн.) | 170A |
Поставляемая упаковка продукта | * |
Техническое описание |
APT45GP120B2DQ2(G) |
Максимальное напряжение для токосъемника | 113A |
Вид ввода данных | Standard |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА