MUN5212DW1T1G
MUN5212DW1T1G
8980
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.54 |
| 10 | $0.44 |
| 1000 | $0.10 |
Технические характеристики
| Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Copper Wire 08/Jun/2009 |
| Переходная частота | - |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 22k |
| Поставляемая упаковка продукта | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Кейс\упаковка | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Категория в каталоге | NPN Pre-Biased Transistor Arrays |
| Альтернативные названия | MUN5212DW1T1GOSCT |
| Техническое описание |
MUN5212DW1, NSBC124EDxx |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Максимальная мощность | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 60 @ 5mA, 10V |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Серии | - |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | Transistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300??A, 10mA |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 22k |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
