NSBC123JPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G
19947
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.76 |
| 10 | $0.61 |
| 1000 | $0.23 |
Технические характеристики
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Альтернативные названия | NSBC123JPDXV6T1GOSDKR |
| Техническое описание |
MUN5335DW1, NSBC123JPDxx |
| Максимальная мощность | 500mW |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 80 @ 5mA, 10V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300??A, 10mA |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 2.2k |
| Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Wire Bond 01/Dec/2010 |
| Серии | - |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 47k |
| Группа | Transistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Упаковка | Digi-Reel?? |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-563 |
| Категория в каталоге | NPN, PNP Pre-Biased Transistor Arrays |
| Кейс\упаковка | SOT-563, SOT-666 |
| Переходная частота | - |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
