NTMD6N03R2G
NTMD6N03R2G
2364
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.72 |
10 | $1.51 |
1000 | $0.69 |
Технические характеристики
Техническое описание |
NTMD6N03R2 |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
Поставляемая упаковка продукта | 8-SOIC N |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Максимальная мощность | 1.29W |
Тип крепления | Surface Mount |
Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008 |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250??A |
Включенная служба передачи радиоданных | 32 mOhm @ 6A, 10V |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 950pF @ 24V |
Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Digi-Reel?? |
Группа | FETs - Arrays |
Альтернативные названия | NTMD6N03R2GOSDKR |
Заряд затвора | 30nC @ 10V |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 6A |
Серии | - |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА