UNR52AVG0L
UNR52AVG0L
3000
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.15 |
Технические характеристики
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Переходная частота | 150MHz |
| Альтернативные названия | UNR52AVG0LTR |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Поставляемая упаковка продукта | SMini3-F2 |
| Техническое описание |
UNR52AVG0L View all Specifications |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1.5mA, 10mA |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Кейс\упаковка | SC-85 |
| Серии | - |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 2.2k |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 80mA |
| Чертёж |
UNR5xA Series Top |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 2.2k |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 6 @ 5mA, 10V |
| Максимальная мощность | 150mW |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
