BSM180D12P2C101
BSM180D12P2C101
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $869.94 |
| 10 | $837.72 |
Технические характеристики
| Характеристики полевого транзистора | Silicon Carbide (SiC) |
| Группа | FETs - Modules |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| Упаковка | Bulk |
| Техническое описание |
BSM180D12P2C101 BSM180D12P2C101 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Серии | - |
| Заряд затвора | - |
| Тип крепления | * |
| Включенная служба передачи радиоданных | - |
| Рекомендуемый продукт |
ROHM - Full-Sic Half-Bridge Power Modules |
| Максимальная мощность | 1130W |
| Минимальная упаковка шт. | 12 |
| Поставляемая упаковка продукта | Module |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 180A |
| Кейс\упаковка | Module |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
