DTC115TMT2L
DTC115TMT2L
8000
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 8000 | $0.10 |
| 16000 | $0.08 |
| 56000 | $0.07 |
Технические характеристики
| Альтернативные названия | 4823-30680-212 DTC115TMT2L-ND DTC115TMT2LTR Q2976642 |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Переходная частота | 250MHz |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 100k |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Серии | - |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | - |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA (ICBO) |
| Максимальная мощность | 150mW |
| Техническое описание |
DTC115T Series |
| Минимальная упаковка шт. | 8,000 |
| Кейс\упаковка | SOT-723 |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 100 @ 1mA, 5V |
| Поставляемая упаковка продукта | VMT3 |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
