EMB3T2R
EMB3T2R
8000
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 8000 | $0.14 |
| 16000 | $0.12 |
| 56000 | $0.10 |
Технические характеристики
| Поставляемая упаковка продукта | EMT6 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Альтернативные названия | EMB3T2R-ND EMB3T2RTR |
| Максимальная мощность | 150mW |
| Группа | Transistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
| Переходная частота | 250MHz |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | - |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 4.7k |
| Кейс\упаковка | SOT-563, SOT-666 |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 100 @ 1mA, 5V |
| Техническое описание |
EMB3, UMB3N, IMB3A |
| Минимальная упаковка шт. | 8,000 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Серии | - |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | - |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
