EMD30T2R
EMD30T2R
5210
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.18 |
| 10 | $0.83 |
| 2500 | $0.22 |
Технические характеристики
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V, 30V |
| Альтернативные названия | EMD30T2RCT |
| Кейс\упаковка | SOT-563, SOT-666 |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 10k, 1k |
| Поставляемая упаковка продукта | EMT6 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Переходная частота | 250MHz, 260MHz |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Техническое описание |
EMD30 |
| Максимальная мощность | 150mW |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA, 200mA |
| Серии | - |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Группа | Transistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 10k |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
