SCT2160KEC
SCT2160KEC
4469
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $27.80 |
| 500 | $19.18 |
| 5000 | $15.88 |
Технические характеристики
| Максимальная мощность | 165W |
| Группа | FETs - Single |
| Упаковка | Tube |
| Серии | - |
| Кейс\упаковка | TO-247-3 |
| Минимальная упаковка шт. | 360 |
| Техническое описание |
SCT2160KE |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 800V |
| Тип полевого транзистора | SiCFET N-Channel, Silicon Carbide |
| Включенная служба передачи радиоданных | 208 mOhm @ 7A, 18V |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Рекомендуемый продукт |
2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs |
| Тип крепления | Through Hole |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 22A (Tc) |
| Заряд затвора | 62nC @ 18V |
| Категория в каталоге | Silicon Carbide (SiC) Standard FETs |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-247 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Примечание по применению генератора магнитного поля |
SiC Power Devices and Modules |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
