SI2365EDS-T1-GE3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.02 |
| 10 | $0.72 |
| 1000 | $0.21 |
Технические характеристики
| Альтернативные названия | SI2365EDS-T1-GE3CT |
| Группа | FETs - Single |
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Максимальная мощность | 1.7W |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Заряд затвора | 36nC @ 8V |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 5.9A (Tc) |
| Серии | TrenchFET® |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Включенная служба передачи радиоданных | 32 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Техническое описание |
SI2365EDS |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-236 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
