SI3585DV-T1-E3
SI3585DV-T1-E3
Mosfet Array N and P-Channel 20V 2A, 1.5A 830mW Su
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|
Технические характеристики
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Включенная служба передачи радиоданных | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Техническое описание |
SI3585DV |
| Кейс\упаковка | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Максимальная мощность | 830mW |
| Серии | TrenchFET® |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel |
| Альтернативные названия | SI3585DV-T1-E3TR SI3585DVT1E3 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 2A, 1.5A |
| Группа | FETs - Arrays |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Заряд затвора | 3.2nC @ 4.5V |
| Поставляемая упаковка продукта | 6-TSOP |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
