SI5515DC-T1-E3
SI5515DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.46 |
Технические характеристики
| Группа | FETs - Arrays |
| Максимальная мощность | 1.1W |
| Кейс\упаковка | 8-SMD, Flat Lead |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Заряд затвора | 7.5nC @ 4.5V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 4.4A, 3A |
| Альтернативные названия | SI5515DC-T1-E3CT |
| Техническое описание |
SI5515DC |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel |
| Поставляемая упаковка продукта | 1206-8 ChipFET™ |
| Включенная служба передачи радиоданных | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Серии | TrenchFET® |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
