SI7460DP-T1-E3
SI7460DP-T1-E3
12000
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $1.74 |
Технические характеристики
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Заряд затвора | 100nC @ 10V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Максимальная мощность | 1.9W |
| Кейс\упаковка | PowerPAK® SO-8 |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Альтернативные названия | Q5555889 SI7460DP-T1-E3-ND SI7460DP-T1-E3TR SI7460DPT1E3 |
| Серии | TrenchFET® |
| Техническое описание |
SI7460DP |
| Включенная служба передачи радиоданных | 9.6 mOhm @ 18A, 10V |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 11A (Ta) |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
