SI8429DB-T1-E1
SI8429DB-T1-E1
27855
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.38 |
| 10 | $2.11 |
| 1000 | $1.02 |
Технические характеристики
| Группа | FETs - Single |
| Заряд затвора | 26nC @ 5V |
| Альтернативные названия | SI8429DB-T1-E1CT |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Кейс\упаковка | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Серии | TrenchFET® |
| Техническое описание |
SI8429DB |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1640pF @ 4V |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 8V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Рекомендуемый продукт |
MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Поставляемая упаковка продукта | 4-Microfoot |
| Включенная служба передачи радиоданных | 35 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Максимальная мощность | 6.25W |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 11.7A (Tc) |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
