SI8810EDB-T2-E1
SI8810EDB-T2-E1
2589
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.18 |
| 10 | $0.92 |
| 1000 | $0.33 |
Технические характеристики
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Максимальная мощность | 500mW |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Поставляемая упаковка продукта | 4-Microfoot |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250??A |
| Альтернативные названия | SI8810EDB-T2-E1CT |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Серии | TrenchFET?? |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 245pF @ 10V |
| Техническое описание |
SI8810EDB |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Группа | FETs - Single |
| Заряд затвора | 8nC @ 8V |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Включенная служба передачи радиоданных | 72 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Кейс\упаковка | 4-XFBGA |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
