SIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3
60000
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.48 |
Технические характеристики
| Максимальная мощность | 15.6W |
| Альтернативные названия | SIS412DN-T1-GE3TR SIS412DNT1GE3 |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 12A (Tc) |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? 1212-8 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Кейс\упаковка | PowerPAK?? 1212-8 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 24 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Техническое описание |
SIS412DN |
| Заряд затвора | 12nC @ 10V |
| Группа | FETs - Single |
| Серии | TrenchFET?? |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250??A |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
