IPB080N06N G
IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $4.88 |
| 10 | $4.41 |
Технические характеристики
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 150??A |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Заряд затвора | 93nC @ 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3500pF @ 30V |
| Альтернативные названия | IPB080N06NG IPB080N06NGINCT |
| Техническое описание |
IPB,IPP080N06N G |
| Максимальная мощность | 214W |
| Включенная служба передачи радиоданных | 7.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Кейс\упаковка | TO-263-3, D??Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Поставляемая упаковка продукта | PG-TO263-3 |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Группа | FETs - Single |
| Серии | OptiMOS??? |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 80A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Тип крепления | Surface Mount |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
